据韩国媒体报道,由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品性能未能达到英伟达的要求,今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫,实际供货预计将推迟至2025年。
报道指出,三星电子自2023年10月起便开始向英伟达提供HBM3E内存的质量测试样品,但在一年多的时间里,认证流程并未取得明显进展。
消息人士透露,SK海力士在HBM3E技术上的领先地位,实际上已经为这一内存设定了性能参数标准,而三星电子的HBM3E在发热和功耗等关键性能参数上未能满足英伟达的严格要求。
SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF键合技术,而三星电子与美光则采用的是TC-NCF热压非导电薄膜技术。
尽管三星电子在全球HBM和NAND市场中曾占据领导地位,但目前看来,其在HBM3E领域的竞争中已落后于竞争对手。
不过三星电子仍计划在2025年第一季度开始向英伟达等大客户供应HBM3E,并期望通过下一代HBM4工艺获得竞争优势。