三星电子今日官宣发布其首款 12 层堆叠 HBM3E DRAM —— HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的 HBM 产品。
三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s，产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。
“当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的 HBM，而我们的新产品 HBM3E 12H 正是为了满足这种需求而设计的，” 三星电子存储器产品企划团队执行副总裁 Yongcheol Bae 表示，“这一新的存储解决方案是我们研发多层堆叠 HBM 核心技术以及在人工智能时代为高容量 HBM 市场提供技术领导力而努力的一部分。”
据介绍，HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得 12 层和 8 层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前 HBM 封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现芯片之间的间隙最小化至 7 微米（µm），同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其 HBM3E 12H 产品的垂直密度比其 HBM3 8H 产品提高了 20% 以上。
三星的热压非导电薄膜（TC NCF）技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善 HBM 的热性能。在芯片键合（chip bonding）过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域。这种方法有助于提高产品的良率。
三星电子表示，相比 HBM3 8H，HBM3E 12H 搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升 34%，同时推理服务用户数量也可增加超过 11.5 倍。
